- 1. أشباه الموصلات هي مواد تتميز بخصائص توصيل كهربائي تقع بين موصل وعازل. وقد أحدثت ثورة في مجال التكنولوجيا من خلال تمكين تطوير الأجهزة الإلكترونية مثل الترانزستورات والصمامات الثنائية والدوائر المتكاملة. هذه المكونات هي أساس الإلكترونيات الحديثة وتستخدم في مجموعة واسعة من التطبيقات، بما في ذلك أجهزة الكمبيوتر والهواتف الذكية والأجهزة الطبية. تعمل أشباه الموصلات عن طريق التحكم في تدفق التيار الكهربائي، مما يسمح بالتحكم الدقيق في الإشارات والبيانات. وقد جعلت خصائصها الفريدة منها مكونًا أساسيًا في تطوير الاتصالات والحوسبة ومجالات أخرى مختلفة من العلوم والتكنولوجيا. أي من المواد التالية هي مادة شائعة الاستخدام في صناعة أشباه الموصلات؟
A) النحاس
B) السيليكون
C) الألومنيوم
D) الصلب
- 2. تُستخدم أشباه الموصلات غالبًا في إنتاج:
A) قطع غيار السيارات
B) الملابس
C) الأجهزة الإلكترونية
D) مواد السباكة
- 3. ما هي الخاصية من خصائص أشباه الموصلات التي يمكن تعديلها عن طريق تطبيق مجال كهربائي خارجي؟
A) اللون
B) التوصيل الكهربائي
C) نقطة الانصهار
D) التوصيل الحراري
- 4. ما هي العملية التي تعدل قدرة التوصيل للمادة شبه الموصلة عن طريق إضافة شوائب؟
A) الاندماج
B) التسامي
C) التطعيم (أو الترقق)
D) الأيونية
- 5. ما هي العناصر المستخدمة بشكل شائع في عملية إضافة الشوائب من النوع السالب (n-type) في أشباه الموصلات؟
A) الكربون، النيتروجين، أو الأكسجين.
B) البرون، الجاليوم، أو الإنديوم.
C) الزرنيخ، الفوسفور، أو الأرسينيك.
D) السيليكون، الجرمانيوم، أو القصدير.
- 6. ما هو أشباه الموصلات الأكثر شيوعًا بعد السيليكون؟
A) الجرمانيوم
B) كربيد السيليكون
C) مركب الألومنيوم والزرنيخ (جاليوم أرسنيد)
D) مركب الإنديوم والفوسفور (إنديوم فوسفيد)
- 7. ما هو نوع المادة التي تُستخدم غالبًا في الكابلات ذات السعة العالية والتي تعمل بجهد متوسط إلى مرتفع، كجزء من عزلها؟
A) مطاط السيليكون
B) ألياف زجاجية
C) سلك نحاسي
D) بلاستيك XLPE مع الكربون الأسود
- 8. ما هو المصطلح المستخدم للإشارة إلى أشباه الموصلات التي تم تعديلها عن طريق التخفيف؟
A) أشباه الموصلات المخففة أو الخارجية.
B) أشباه الموصلات الأصلية.
C) أشباه الموصلات النقية.
D) أشباه الموصلات الطبيعية.
- 9. ما هو الجهاز الذي يمثل أول تطبيق عملي لأشباه الموصلات في مجال الإلكترونيات؟
A) جهاز كاشف الشعيرات
B) الترانزستور
C) الدائرة المتكاملة
D) اللمبة المفرغة
- 10. ما هي العناصر المستخدمة في عملية التشكيل من النوع p؟
A) سيليكون، جرمانيوم، قصدير
B) فوسفور، زرنيخ، أنتيمون
C) كربون، نيتروجين، أكسجين
D) بورون، غاليوم، إنديوم
- 11. ما هي الطريقة الأكثر استخدامًا لإنتاج قضبان بلورية مفردة من أشباه الموصلات؟
A) ترسيب الحزمة الجزيئية
B) طريقة تسوكرالسكي
C) عملية تنقية المنطقة
D) ترسيب الطور الغازي
- 12. ما هي العملية التي تستخدم فيها الأشعة فوق البنفسجية لإنشاء أنماط على مادة أشباه الموصلات؟
A) الحفر
B) التصوير الضوئي
C) الأكسدة الحرارية
D) الانتشار
- 13. ما هو نوع الغاز المستخدم بشكل شائع في عملية النقش بالبلازما؟
A) الآرغون
B) مركبات الكلور والفلور (فريون)
C) النيتروجين
D) الأكسجين
- 14. وفقًا لمبدأ باولي للاستبعاد، كم عدد الإلكترونات التي يمكن أن تشغل حالة كمية؟
A) عدد غير محدود من الإلكترونات.
B) إلكترونان لهما دوران معاكس.
C) صفر أو إلكترونان.
D) إلكترون واحد لكل حالة كمية.
- 15. ماذا يحدث للإلكترونات في نطاق التوصيل لأشباه الموصلات نتيجة لعملية إعادة التركيب الحرارية الطبيعية؟
A) إنها تزداد في العدد.
B) إنها لا تبقى لفترة غير محدودة.
C) إنها تشكل روابط تساهمية.
D) إنها تصبح ثابتة.
- 16. ما هو النموذج الذي يمكن استخدامه للتفكير في عملية التوصيل في أشباه الموصلات؟
A) نموذج بور
B) نموذج هايزنبرغ
C) نموذج دروده
D) نموذج شرودنجر
- 17. من قام بتطوير مضخمات ذات مقاومة سالبة ومكونة من طرفين واحدين للاستخدام في مجال الراديو في عام 1922؟
A) ويليام شوكلي
B) يوليوس إدغار ليلينفيلد
C) أوليغ لوسيف
D) رودولف هيلش
- 18. في أي سنة حصل يوليوس إدغار ليلينفيلد على براءة اختراع لجهاز يشبه الترانزستور ذو التأثير الحقل؟
A) 1954
B) 1926
C) 1941
D) 1938
- 19. من هو العالم الذي لاحظ أول وصلة من النوع p-n في السيليكون حوالي عام 1941؟
A) جون باردين
B) موريس تاننباوم
C) هيربرت ماتاره
D) راسل أويل
- 20. ما هي المادة التي استخدمها شوكلي لابتكار الترانزستور ذو الوصلة النقطية بعد فشله في استخدام الجرمانيوم والسيليكون؟
A) سيليكون
B) أرسنيد الغاليوم
C) جرمانيوم
D) نحاس
- 21. ما هو اسم المضخم الذي أعلنت عنه مجموعة هيربرت ماتاره بعد الحرب العالمية الثانية؟
A) ترانزيستور الوصلة
B) ترانزيستور نقطة الاتصال
C) ترانزيستور ترانزيسترون
D) ترانزيستور تأثير المجال
- 22. في أي سنة قام موريس تاننباوم بتصنيع أول ترانزستور ذو وصلة السيليكون في مختبرات بل؟
A) 1954
B) 1938
C) 1926
D) 1947
|