- 1. Els semiconductors són materials que tenen una conductivitat elèctrica entre la d'un conductor i la d'un aïllant. Han revolucionat la tecnologia, permetent el desenvolupament de dispositius electrònics com ara transistors, díodes i circuits integrats. Aquests components són la base de l'electrònica moderna i s'utilitzen en una àmplia gamma d'aplicacions, incloses ordinadors, telèfons intel·ligents i dispositius mèdics. Els semiconductors funcionen controlant el flux de corrent elèctric, cosa que permet la manipulació precisa de senyals i dades. Les seves propietats úniques els han convertit en elements essencials per avançar en la comunicació, la computació i diversos altres camps de la ciència i la tecnologia.
Quin dels següents és un material semiconductor comú?
A) Acer
B) Coure
C) Silici
D) Alumini
- 2. Els semiconductors s'utilitzen sovint en la producció de:
A) Dispositius electrònics
B) Materials de fontaneria
C) Roba
D) Components d'automòbils
- 3. Com funciona una cèl·lula fotovoltaica?
A) Emmet energia lumínica.
B) Converteix la llum en electricitat.
C) Reflecteix la llum.
D) Emmagatzema l'energia en forma de llum.
- 4. Quin dispositiu permet que el corrent flueixi només en una direcció?
A) Diodi
B) Condensador
C) Transistor
D) Resistència
- 5. Quin és l'objectiu d'un regulador de tensió en un circuit electrònic?
A) Emmagatzemar energia.
B) Mantenir un nivell de tensió constant.
C) Amplificar senyals.
D) Transformar energia.
- 6. En quina direcció flueix el corrent en un semiconductor de tipus n?
A) Des dels forats electrònics als electrons
B) Des del negatiu al positiu
C) Des del positiu al negatiu
D) Des de la banda de valència a la banda de conducció
- 7. Quin paper té un interruptor semiconductor en els circuits electrònics?
A) Amplifica senyals elèctrics.
B) Mesura els nivells de resistència.
C) Controla el flux de corrent en un circuit.
D) Genera llum a partir de l'electricitat.
- 8. Quin component semiconductor emmagatzema càrrega temporalment?
A) Transistor
B) Capacitor
C) Diodi
D) Resistència
- 9. Quin és el procés de formació d'una capa fina d'òxid a la superfície d'un semiconductor?
A) Electrodeposició
B) Deposició
C) Gravat
D) Oxidació
- 10. Quina propietat dels semiconductors es pot modificar aplicant un camp elèctric extern?
A) Conductivitat tèrmica
B) Color
C) Conductivitat
D) Punt de fusió
- 11. Què és la banda prohibida en un semiconductor?
A) Resistència al flux elèctric.
B) Energia emmagatzemada en el material.
C) Temperatura a la qual funciona.
D) Diferència d'energia entre les bandes de valència i de conducció.
- 12. Quin és l'objectiu d'un làser semiconductor?
A) Generar calor.
B) Generar llum coherent.
C) Emmagatzemar dades.
D) Convertir el so en electricitat.
- 13. Quin dispositiu semiconductor funciona com un amplificador o un interruptor electrònic?
A) Resistència
B) Diodi
C) Inductor
D) Transistor
- 14. Quin procés modifica la conductivitat d'un semiconductor en afegir impureses?
A) Dopatge
B) Sublimació
C) Ionització
D) Fusió
- 15. Quins elements s'utilitzen habitualment per a la dopatge de tipus n en semiconductors?
A) Antimoni, fòsfor o arsènic
B) Bor, gal·li o indi
C) Silici, germani o estany
D) Carboni, nitrogen o oxigen
- 16. Quin semiconductor és el segon més comú després de la sílice?
A) Germani
B) Fosfure d'indí
C) Arseniure de gal·li
D) Carbur de silici
- 17. Quin tipus de material s'utilitza sovint en els cables d'alta capacitat i de mitjana a alta tensió com a part del seu aïllament?
A) Fibra de vidre
B) Goma de silicona
C) Plàstic XLPE amb negre de carboni
D) Fil de coure
- 18. Com es diuen els semiconductors que han estat modificats mitjançant la dopatge?
A) Semiconductors naturals
B) Semiconductors dopats o extraterics
C) Semiconductors intrínsecs
D) Semiconductors purs
- 19. Quin dispositiu va ser la primera aplicació pràctica dels semiconductors en l'electrònica?
A) El detector de filament
B) El transistor
C) El circuit integrat
D) El tub de buit
- 20. Quins elements s'utilitzen per a la dopatge de tipus p?
A) Silici, germani, estany
B) Bor, gal·li, indi
C) Fòsfors, arsènic, antimoni
D) Carboni, nitrogen, oxigen
- 21. Quin mètode s'utilitza habitualment per al creixement de lingots monocristalins de semiconductors?
A) Epitaxia en fase vapor
B) Mètode de Czochralski
C) Refinació per zona
D) Epitaxia per feix molecular
- 22. Quin procés implica l'ús de llum ultraviolada per crear patrons en un semiconductor?
A) Fotolitografia
B) Gravat
C) Difusió
D) Oxidació tèrmica
- 23. Quin tipus de gas s'utilitza habitualment en la gravat per plasma?
A) Clorofluorocarbon (Freon)
B) Nitrogen
C) Oxigen
D) Argó
- 24. Segons el principi d'exclusió de Pauli, quantes electrons poden ocupar un estat quàntic?
A) Zero o dos electrons.
B) Dos electrons amb espins oposats.
C) Un electró per estat quàntic.
D) Un nombre il·limitat d'electrons.
- 25. Què passa amb els electrons a la banda de conducció d'un semiconductor a causa de la recombinació tèrmica natural?
A) Formen enllaços covalents.
B) No hi romanen indefinidament.
C) Es tornen estacionaris.
D) Augmenten en nombre.
- 26. Quin model es pot utilitzar per entendre la conducció en semiconductors?
A) El model de Schrödinger
B) El model de Heisenberg
C) El model de Drude
D) El model de Bohr
- 27. Qui va desenvolupar amplificadors de dues terminals amb resistència negativa per a ràdio el 1922?
A) Rudolf Hilsch
B) Oleg Losev
C) Julius Edgar Lilienfeld
D) William Shockley
- 28. En quin any va patentar Julius Edgar Lilienfeld un dispositiu que s'assemblava a un transistor d'efecte de camp?
A) 1954
B) 1941
C) 1926
D) 1938
- 29. Qui va observar la primera unió p-n en silici al voltant de 1941?
A) Russell Ohl
B) Morris Tanenbaum
C) Herbert Mataré
D) John Bardeen
- 30. Quin material va utilitzar Shockley per inventar el transistor de contacte puntual després de fracassar amb el germani i el silici?
A) Germani
B) Coure
C) Silici
D) Arseniure de gal·li
- 31. Com es deia l'amplificador que el grup de Herbert Mataré va anunciar després de la Segona Guerra Mundial?
A) Transistor de contacte puntual
B) Transistron
C) Transistor de juntura
D) Transistor d'efecte de camp
- 32. En quin any va fabricar Morris Tanenbaum el primer transistor de juntura de silici als laboratoris de Bell?
A) 1938
B) 1947
C) 1926
D) 1954
|