Semiconductor - Examen
A) No permanecen indefinidamente. B) Se unen permanentemente a la red cristalina. C) Se convierten en fotones. D) Se vuelven estacionarios.
A) Condensado de Bose-Einstein. B) Líquido cuántico. C) Gas ideal clásico. D) Cristal sólido rígido.
A) Principio de exclusión de Pauli. B) Ley de Coulomb. C) Conservación de la energía. D) Principio de incertidumbre de Heisenberg.
A) Parabólica. B) Exponencial. C) Lineal. D) Logarítmica.
A) Se mueven en direcciones opuestas. B) Se detienen instantáneamente. C) De manera muy similar a como lo harían en el vacío. D) No se ven afectados por las fuerzas externas.
A) Masa relativista. B) Masa efectiva. C) Masa en reposo. D) Masa atómica.
A) Modelo estándar. B) Modelo de Ising. C) Modelo de Drude. D) Modelo de Bohr.
A) Se comporta como un metal. B) Es inestable. C) Es altamente conductora. D) Es inerte.
A) Un hueco. B) Un neutrón. C) Un fotón. D) Un positrón.
A) Positiva. B) Variable. C) Negativa. D) Neutra.
A) Negativa. B) Positiva. C) Infinita. D) Cero.
A) Diodos emisores de luz B) Condensadores C) Tubos de vacío D) Resistencias
A) Reducción de la intensidad de la luz B) Disipación del calor C) Disminución de la interferencia magnética D) Aumento de la resistencia eléctrica
A) Turbinas eólicas B) Sistemas hidráulicos C) Bombas neumáticas D) Vehículos eléctricos
A) Enfriadores termoeléctricos B) Estabilizadores de voltaje C) Cargadores de baterías D) Calentadores solares
A) Silicio y germanio B) Carbono y estaño C) Germanio y estaño D) Plomo y silicio
A) 2 B) 6 C) 4 D) 8
A) Silicio puro B) Arsénico líquido C) Arseniuro de galio D) Estructura orgánica
A) Estructura cristalina rígida B) Conductividad intermedia C) Resistencia cero a temperatura absoluta D) Ausencia de variación de temperatura
A) Recipientes líquidos B) Cables cristalinos C) Lingotes masivos D) Estructuras de película delgada
A) Motores eléctricos B) Aislamiento térmico C) Circuitos integrados D) Radiodifusión
A) Transparencia del color B) Permeabilidad magnética C) Reducción de peso D) Pureza química
A) Baja temperatura ambiente B) Vacío excesivo C) Alta humedad D) Defectos cristalinos
A) De 5 a 20 mm B) De 500 a 1000 mm C) De 10 a 50 mm D) De 100 a 300 mm
A) Pulverización por plasma B) Oxidación térmica C) Fotolitografía D) Método Czochralski
A) Dopado de la oblea B) Grabado del circuito C) Formación de dióxido de silicio D) Eliminación de impurezas
A) Radiación gamma B) Láser rojo visible C) Luz ultravioleta D) Luz infrarroja
A) Grabado con plasma B) Inmersión en ácido C) Lijado mecánico D) Ablación láser
A) Nitrógeno B) Clorofluorocarbono C) Argón D) Hidrógeno
A) En la pared de la cámara B) En el cátodo C) En el ánodo D) En la entrada de gas
A) Crecimiento de Czochralski B) Oxidación C) Difusión D) Fotolitografía
A) Grabado B) Refinado C) Unión D) Dopaje
A) Capa de dióxido de silicio B) Unión P-N C) Película delgada D) Campo magnético
A) 2.000 grados Celsius B) Temperatura ambiente C) 1.100 grados Celsius D) 500 grados Celsius
A) Carburo de silicio B) Arseniuro de galio C) Compuestos orgánicos D) Germanio
A) Tienen demasiados electrones libres. B) Las bandas de valencia están llenas, lo que impide el flujo de electrones. C) Están compuestos de plástico. D) No tienen electrones.
A) Una carga neutra B) Un exceso de protones C) Un exceso de electrones D) Una escasez de electrones
A) Aniquilación total B) Uniones homotipales C) Difusión ambipolar D) Equilibrio térmico
A) Iones B) Protones C) Electrones D) Huecos
A) Huecos B) Fotones C) Electrones D) Iones
A) Recombinación B) Generación C) Excitación D) Expansión térmica
A) Un líquido conductor B) Una amplia banda de electrones libres C) Una banda de valencia pura D) Una estrecha franja de iones inmóviles
A) La falta de huecos B) La banda de iones inmóviles C) La ausencia de energía térmica D) El exceso de fotones
A) Conductividad eléctrica B) Iones fijos C) Corrientes equilibradas D) Diferencia de temperatura
A) Bandas de valencia B) Neutrones C) Fotones D) Iones inmóviles
A) Difusión ambipolar B) Dopaje C) Generación D) Recombinación
A) XLPE con negro de carbón B) Arseniuro de galio C) Silicio con fósforo D) Cobre puro
A) intrínseco B) tipo n C) tipo p D) metálico
A) tipo p B) conductor C) aislante D) tipo n
A) Circuito integrado B) Transistor C) Diodo láser D) Detector de bigote de gato
A) 1904 B) 1947 C) 1920 D) 1958
A) Un haz de láser B) Un microscopio electrónico C) Un imán D) Una sonda de punto caliente
A) Banda de valencia B) Banda de conducción C) Estado fundamental D) Nivel de Fermi
A) Dentro de los espacios prohibidos de la banda B) Dentro de la banda de conducción C) Por encima de la banda de conducción D) Dentro de la banda de valencia
A) Superconductor B) Submetal C) Aislante cuántico D) Semiconductor débil
A) Sustratos para HEMT B) Soldadura a alta temperatura C) Soportes estructurales mecánicos D) Electrolitos para baterías
A) Campos magnéticos B) Resistencia eléctrica C) Energía térmica o radiación D) Emisiones de protones
A) El tamaño de la muestra del semiconductor B) Mecánica estadística cuántica C) La masa de los átomos dopantes D) La pureza del aire circundante
A) Proporción lineal con respecto a T B) Independiente de T C) Proporción inversamente proporcional a T D) exp(−EG/kT)
A) Amorfo B) Intrínseco C) Extrínseco D) Metálico
A) Metales de transición B) Elementos del Grupo V C) Elementos del Grupo III D) Gases nobles
A) Donantes B) Aislantes C) Aceptores D) Trampas
A) Fósforo B) Selenio C) Boro D) Arsénico
A) Implantación iónica B) Deflexión magnética C) Ajuste manual D) Fusión térmica
A) Oro B) Selenio C) Plata D) Cobre
A) Karl Ferdinand Braun B) Willoughby Smith C) Thomas Johann Seebeck D) Michael Faraday
A) Rectificación B) Efecto Hall C) Efecto Seebeck D) Efecto fotovoltaico
A) Nevill Francis Mott B) J.J. Thomson C) Edwin Herbert Hall D) Felix Bloch
A) Johan Koenigsberger B) Josef Weiss C) Walter H. Schottky D) Boris Davydov
A) Bernhard Gudden B) Felix Bloch C) Alan Herries Wilson D) John Bardeen
A) Una célula solar funcional B) Un tubo de vacío C) Un transmisor de radio D) Un detector infrarrojo |
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