A) Conducción debida al balance natural entre electrones y huecos B) Alta concentración de impurezas C) Conducción debida únicamente a electrones libres D) Ausencia completa de portadores de carga
A) GaAs B) GaN C) InP D) Si
A) Un electrón extra B) Un electrón menos C) Un protón extra D) Una carga neutra
A) La energía donde la probabilidad de ocupación electrónica es 50% B) La energía mínima para que el electrón salga del material C) La energía mínima de la banda de valencia D) La energía máxima de la banda de conducción
A) Se difunden electrones y huecos dejando cargas fijas B) Se cancelan gradientes de concentración C) La conductividad aumenta instantáneamente D) Se incrementan los portadores libres
A) El ánodo es más negativo que el cátodo B) La barrera de potencial aumenta C) El campo eléctrico apunta a la región p D) La tensión externa reduce la barrera de potencial
A) La masa efectiva del electrón B) Su resistencia térmica C) La energía necesaria para promover electrones a la banda de conducción D) La movilidad de los huecos
A) Es irrelevante para la unión B) Se mantiene alineado (constante en todo el sistema) C) Se desplaza sólo hacia la región p D) Está separado en ambas regiones
A) El comportamiento óptico de absorción-dispersión en materiales difusos B) La movilidad de portadores frente al campo eléctrico C) La relación entre resistividad y espesor D) La probabilidad de ruptura dieléctrica
A) Base-emisor y base-colector en directa B) Base-emisor en directa y colector-base en inversa C) Base-emisor en inversa y base-colector en directa D) Colector-emisor en directa sin corriente de base
A) La capacitancia del emisor B) La tensión de colector únicamente C) La resistencia del encapsulado D) La corriente de base
A) Ambos funcionan idénticamente B) El JFET tiene compuerta aislada, el MOSFET no C) El MOSFET tiene compuerta aislada eléctricamente, el JFET no D) El MOSFET es controlado por corriente, el JFET por tensión
A) Tener dos uniones p-n B) Conducción controlada por tensión C) Necesitar corriente en la compuerta D) Conducción controlada por corriente
A) VGS supera la tensión umbral B) VDS es cero C) La compuerta se conecta a tierra D) VGS es negativo
A) Aumenta su resistencia con el campo magnético B) Logra resistividad infinita C) Conduce mejor que un semiconductor dopado D) Permite el paso de corriente sin pérdidas
A) La temperatura por encima de la cual no conduce B) La temperatura a partir de la cual aparece el estado superconductor C) La mínima temperatura alcanzable D) La temperatura en que su resistencia es máxima
A) Efecto Kelvin B) Efecto Seebeck C) Efecto Meissner D) Efecto Hall
A) Silicio dopado con boro B) Silicio C) YBa₂Cu₃O₇ (YBCO) D) Germanio
A) Un transistor JFET de potencia B) Un dispositivo de dos terminales que rectifica C) Un dispositivo de cuatro capas que se activa con un pulso de compuerta D) Un transistor bipolar con compuerta
A) Todos controlan corriente pero con distintas ganancias B) El diodo bloquea, el JFET controla corriente, el MOSFET controla tensión y el tiristor conmuta en un solo sentido C) Todos requieren compuerta para funcionar D) El diodo amplifica, el JFET rectifica, el MOSFET oscila y el tiristor conmuta
A) esta tampoco B) esta sí C) esta menos D) esta no |