A) Se vuelven estacionarios. B) Se convierten en fotones. C) No permanecen indefinidamente. D) Se unen permanentemente a la red cristalina.
A) Gas ideal clásico. B) Líquido cuántico. C) Condensado de Bose-Einstein. D) Cristal sólido rígido.
A) Principio de incertidumbre de Heisenberg. B) Conservación de la energía. C) Principio de exclusión de Pauli. D) Ley de Coulomb.
A) Exponencial. B) Lineal. C) Parabólica. D) Logarítmica.
A) Se detienen instantáneamente. B) De manera muy similar a como lo harían en el vacío. C) Se mueven en direcciones opuestas. D) No se ven afectados por las fuerzas externas.
A) Masa en reposo. B) Masa atómica. C) Masa relativista. D) Masa efectiva.
A) Modelo de Bohr. B) Modelo de Drude. C) Modelo estándar. D) Modelo de Ising.
A) Se comporta como un metal. B) Es inestable. C) Es altamente conductora. D) Es inerte.
A) Un positrón. B) Un hueco. C) Un neutrón. D) Un fotón.
A) Neutra. B) Variable. C) Negativa. D) Positiva.
A) Negativa. B) Positiva. C) Infinita. D) Cero.
A) Tubos de vacío B) Resistencias C) Diodos emisores de luz D) Condensadores
A) Reducción de la intensidad de la luz B) Aumento de la resistencia eléctrica C) Disminución de la interferencia magnética D) Disipación del calor
A) Vehículos eléctricos B) Bombas neumáticas C) Turbinas eólicas D) Sistemas hidráulicos
A) Cargadores de baterías B) Calentadores solares C) Enfriadores termoeléctricos D) Estabilizadores de voltaje
A) Carbono y estaño B) Silicio y germanio C) Germanio y estaño D) Plomo y silicio
A) 8 B) 2 C) 6 D) 4
A) Arseniuro de galio B) Silicio puro C) Arsénico líquido D) Estructura orgánica
A) Resistencia cero a temperatura absoluta B) Estructura cristalina rígida C) Ausencia de variación de temperatura D) Conductividad intermedia
A) Cables cristalinos B) Estructuras de película delgada C) Recipientes líquidos D) Lingotes masivos
A) Radiodifusión B) Aislamiento térmico C) Circuitos integrados D) Motores eléctricos
A) Reducción de peso B) Pureza química C) Permeabilidad magnética D) Transparencia del color
A) Baja temperatura ambiente B) Defectos cristalinos C) Alta humedad D) Vacío excesivo
A) De 10 a 50 mm B) De 500 a 1000 mm C) De 5 a 20 mm D) De 100 a 300 mm
A) Pulverización por plasma B) Oxidación térmica C) Método Czochralski D) Fotolitografía
A) Eliminación de impurezas B) Formación de dióxido de silicio C) Dopado de la oblea D) Grabado del circuito
A) Luz ultravioleta B) Láser rojo visible C) Radiación gamma D) Luz infrarroja
A) Grabado con plasma B) Lijado mecánico C) Ablación láser D) Inmersión en ácido
A) Clorofluorocarbono B) Nitrógeno C) Argón D) Hidrógeno
A) En el cátodo B) En la pared de la cámara C) En la entrada de gas D) En el ánodo
A) Fotolitografía B) Crecimiento de Czochralski C) Oxidación D) Difusión
A) Refinado B) Dopaje C) Unión D) Grabado
A) Película delgada B) Campo magnético C) Unión P-N D) Capa de dióxido de silicio
A) 500 grados Celsius B) 2.000 grados Celsius C) Temperatura ambiente D) 1.100 grados Celsius
A) Compuestos orgánicos B) Carburo de silicio C) Germanio D) Arseniuro de galio
A) Tienen demasiados electrones libres. B) Están compuestos de plástico. C) Las bandas de valencia están llenas, lo que impide el flujo de electrones. D) No tienen electrones.
A) Un exceso de protones B) Un exceso de electrones C) Una escasez de electrones D) Una carga neutra
A) Aniquilación total B) Equilibrio térmico C) Difusión ambipolar D) Uniones homotipales
A) Protones B) Iones C) Electrones D) Huecos
A) Huecos B) Electrones C) Fotones D) Iones
A) Generación B) Recombinación C) Expansión térmica D) Excitación
A) Una amplia banda de electrones libres B) Una banda de valencia pura C) Una estrecha franja de iones inmóviles D) Un líquido conductor
A) La falta de huecos B) La banda de iones inmóviles C) El exceso de fotones D) La ausencia de energía térmica
A) Conductividad eléctrica B) Corrientes equilibradas C) Diferencia de temperatura D) Iones fijos
A) Iones inmóviles B) Neutrones C) Fotones D) Bandas de valencia
A) Difusión ambipolar B) Dopaje C) Generación D) Recombinación
A) Cobre puro B) Arseniuro de galio C) Silicio con fósforo D) XLPE con negro de carbón
A) tipo p B) tipo n C) metálico D) intrínseco
A) tipo p B) conductor C) tipo n D) aislante
A) Transistor B) Detector de bigote de gato C) Circuito integrado D) Diodo láser
A) 1958 B) 1947 C) 1904 D) 1920
A) Un haz de láser B) Una sonda de punto caliente C) Un microscopio electrónico D) Un imán
A) Banda de valencia B) Banda de conducción C) Estado fundamental D) Nivel de Fermi
A) Por encima de la banda de conducción B) Dentro de la banda de valencia C) Dentro de los espacios prohibidos de la banda D) Dentro de la banda de conducción
A) Semiconductor débil B) Aislante cuántico C) Submetal D) Superconductor
A) Electrolitos para baterías B) Sustratos para HEMT C) Soportes estructurales mecánicos D) Soldadura a alta temperatura
A) Campos magnéticos B) Emisiones de protones C) Energía térmica o radiación D) Resistencia eléctrica
A) El tamaño de la muestra del semiconductor B) Mecánica estadística cuántica C) La masa de los átomos dopantes D) La pureza del aire circundante
A) exp(−EG/kT) B) Proporción inversamente proporcional a T C) Proporción lineal con respecto a T D) Independiente de T
A) Extrínseco B) Intrínseco C) Metálico D) Amorfo
A) Metales de transición B) Gases nobles C) Elementos del Grupo V D) Elementos del Grupo III
A) Donantes B) Aislantes C) Trampas D) Aceptores
A) Boro B) Selenio C) Arsénico D) Fósforo
A) Ajuste manual B) Implantación iónica C) Deflexión magnética D) Fusión térmica
A) Selenio B) Plata C) Oro D) Cobre
A) Willoughby Smith B) Karl Ferdinand Braun C) Thomas Johann Seebeck D) Michael Faraday
A) Efecto fotovoltaico B) Efecto Seebeck C) Rectificación D) Efecto Hall
A) Nevill Francis Mott B) Felix Bloch C) Edwin Herbert Hall D) J.J. Thomson
A) Boris Davydov B) Johan Koenigsberger C) Walter H. Schottky D) Josef Weiss
A) Bernhard Gudden B) John Bardeen C) Alan Herries Wilson D) Felix Bloch
A) Un tubo de vacío B) Una célula solar funcional C) Un transmisor de radio D) Un detector infrarrojo |