A) Alta concentración de impurezas B) Conducción debida únicamente a electrones libres C) Ausencia completa de portadores de carga D) Conducción debida al balance natural entre electrones y huecos
A) InP B) GaN C) Si D) GaAs
A) Un electrón extra B) Un protón extra C) Una carga neutra D) Un electrón menos
A) La energía donde la probabilidad de ocupación electrónica es 50% B) La energía mínima para que el electrón salga del material C) La energía máxima de la banda de conducción D) La energía mínima de la banda de valencia
A) Se cancelan gradientes de concentración B) Se incrementan los portadores libres C) Se difunden electrones y huecos dejando cargas fijas D) La conductividad aumenta instantáneamente
A) El campo eléctrico apunta a la región p B) El ánodo es más negativo que el cátodo C) La barrera de potencial aumenta D) La tensión externa reduce la barrera de potencial
A) La energía necesaria para promover electrones a la banda de conducción B) Su resistencia térmica C) La masa efectiva del electrón D) La movilidad de los huecos
A) Está separado en ambas regiones B) Se mantiene alineado (constante en todo el sistema) C) Se desplaza sólo hacia la región p D) Es irrelevante para la unión
A) La relación entre resistividad y espesor B) El comportamiento óptico de absorción-dispersión en materiales difusos C) La movilidad de portadores frente al campo eléctrico D) La probabilidad de ruptura dieléctrica
A) Base-emisor en directa y colector-base en inversa B) Base-emisor en inversa y base-colector en directa C) Base-emisor y base-colector en directa D) Colector-emisor en directa sin corriente de base
A) La corriente de base B) La tensión de colector únicamente C) La resistencia del encapsulado D) La capacitancia del emisor
A) El MOSFET es controlado por corriente, el JFET por tensión B) El JFET tiene compuerta aislada, el MOSFET no C) El MOSFET tiene compuerta aislada eléctricamente, el JFET no D) Ambos funcionan idénticamente
A) Tener dos uniones p-n B) Conducción controlada por corriente C) Conducción controlada por tensión D) Necesitar corriente en la compuerta
A) VGS supera la tensión umbral B) VDS es cero C) VGS es negativo D) La compuerta se conecta a tierra
A) Permite el paso de corriente sin pérdidas B) Conduce mejor que un semiconductor dopado C) Aumenta su resistencia con el campo magnético D) Logra resistividad infinita
A) La temperatura por encima de la cual no conduce B) La temperatura en que su resistencia es máxima C) La mínima temperatura alcanzable D) La temperatura a partir de la cual aparece el estado superconductor
A) Efecto Meissner B) Efecto Kelvin C) Efecto Seebeck D) Efecto Hall
A) Silicio dopado con boro B) YBa₂Cu₃O₇ (YBCO) C) Silicio D) Germanio
A) Un transistor bipolar con compuerta B) Un dispositivo de cuatro capas que se activa con un pulso de compuerta C) Un dispositivo de dos terminales que rectifica D) Un transistor JFET de potencia
A) El diodo bloquea, el JFET controla corriente, el MOSFET controla tensión y el tiristor conmuta en un solo sentido B) El diodo amplifica, el JFET rectifica, el MOSFET oscila y el tiristor conmuta C) Todos controlan corriente pero con distintas ganancias D) Todos requieren compuerta para funcionar
A) esta no B) esta sí C) esta tampoco D) esta menos |